Startseite
1
Produkte
2
AAAF120 120W ITE/Medical GaN FET Tech. Netzteil3
Astek catch your demand on Power Supply Astek catch Your Demand on Power Supplies '
Startseite Produkt GaN FET-Technologie-Adapter AAAF120 120W ITE/Medical GaN FET Tech. Netzteil
167

AAAF120 120W ITE/Medical GaN FET Tech. Netzteil

*Eingang 100VAC~240VAC *Ausgang 12V/19V/20V/24V/48V/56V *C14/C6 Eingang * Galliumnitrid-basiertes Design *ANSI/AAMI/IEC/EN/UL 62368-1, *SCP/OVP/OCP/OTP *CB/UL/cUL/FCC/CE/PSE *DOE VI, CoC Tier 2, ErP Stufe 2, NRCan, GEMS *Modifiziertes und kundenspezifisches Design verfügbar

2ea2309ebd855781e209ac699d56e190.jpg

AAAF120 120W ITE GaN FET Tech. Netzteil

*Universeller AC-Eingangsbereich 100-240VAC
*Galliumnitrid-basiertes Design
*Hohe Leistungsdichte: 9.1 W/in³, 202 % höher als bei herkömmlichen Adaptern (4.5 W/in³)

*Geregelter Ausgang mit geringem Welligkeitsrauschen
*Mit 250kHz Schaltfrequenz
*Schutzmittel: 2 * MOPP
*IEC/EN/ANSI/AAMI ES62368-1, IEC/EN/ANSI/AAMI ES60950-1
*CB/UL/cUL/FCC/GS/CE/PSE/CE/BSMI

* Schutzmaßnahmen: Kurzschluss / Überspannung / Überstrom / Übertemperatur

*CEC, DOE VI, Energy Star, ErP Stufe 2, NRCan & GEMS VI
* Stromverbrauch im Leerlauf weniger als 0,15 W
*Effizienz bis zu 94%

*Berührungsstrom < 100uA

*Modifiziertes und benutzerdefiniertes Design zur Verfügung gestellt

*2 Jahre Garantie

Eingangsspannung: 90~264VAC

Frequenz: 50~60Hz

Eingangsstrom: 1.6A max.

Schutz: Interne Primärstromsicherung

Effizienz: DOE VI, ErP Stufe 2

Berührungsstrom <100uA

Teile-Nr. Nenn-O/P (Strom max.)

AAAF120-S12-z         12V/9A/108W

AAAF120-S19-z         19V/6.3A/120W
AAAF120-S20z          20V/6A/120W

AAAF120-S24-z         24V/5A/120W

AAAF120-S48-z         48V/2.5A/120W
AAAF120-S56-z         56V/2.14A/120W
14=C14, 06=C6
Mechanical C14/C6 inlet, Size: 132*51*32(mm), Weight: 350g

Lastregelung: +/-5% (typisch)

Welligkeit 1% Vp-p max. für Ausgangsspannung @Volllast

Transiente Antwort: 0,5 mS für 50 % Laständerung typisch

Haltezeit: 10mS bei Volllast

Betriebstemperatur: 0~40 Grad C

Lagertemperatur: -20~80 Grad C

Betriebsfeuchtigkeit: 20~80% RH

Lagerfeuchtigkeit: 10~90% RH

Topologie: LLC

Durchschlagfestigkeit: 3000VAC Primär zu Sekundär

EMI-Leitung und Strahlung: Konformität EN55011/55032

Oberschwingungsstrom: Konformität EN61000-3-2,3

EMS-Störfestigkeit: Konformität IEC61000-4-2,3,4,5,6,8,11

MTBF: 300.000 berechnete Stunden bei 25。C, von Telcordia SR-332

GaN FET-Technologie-Adapter 1429423